Galliumantimonid

Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,726 eV (300 K). Er besteht aus den Elementen Gallium (Ga) und Antimon (Sb).

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Wie bei den meisten III-V-Halbleitern ist die Kristallstruktur die Zinkblende-Struktur, die Gitterkonstante beträgt 6,09593 Ångström, die Atomdichte 3,53 ·10²² Atome/cm³.

GaSb ist für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, wie z. B. Laserdioden mit geringer Schwellspannung, Photodetektoren mit hoher Quanteneffizienz oder Hochfrequenzbauelemente, von zunehmender Bedeutung.

Anders als die meisten anderen Halbleiter ist es nicht möglich, GaSb semiisolierend herzustellen. Nominell undotiertes GaSb hat nämlich eine natürliche p-Leitfähigkeit (p ~ 10¹⁶ - 10¹⁷ cm^-3). Der natürliche Akzeptor ist noch Thema aktueller Diskussion. Als dessen Ursache wird eine Ga-Leerstelle bzw. ein Ga-Leerstellenkomplex oder ein Ga-Atom auf einem Sb-Gitterplatz für möglich gehalten.