Gallium(III)-phosphid

Strukturformel
Keine Strukturformel vorhanden
Allgemeines
Name	Gallium(III)-phosphid
Andere Namen	Galliumphosphid
Summenformel	GaP
CAS-Nummer	12063-98-8
Kurzbeschreibung	geruchlose orange Kristalle
Eigenschaften
Molare Masse	100,7 g/mol
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,1 g/cm3[1]
Schmelzpunkt	1348 °C[1]
Löslichkeit	unlöslich in Wasser
Sicherheitshinweise
Gefahrstoffkennzeichnung Xi Reizend [1] R- und S-Sätze R: 36/37/38[1] S: 25-37[1]
WGK	2[2]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Gallium(III)-phosphid ist eine binäre Halbleiterverbindung aus Gallium und Phosphor. Es wird seit den 1960er Jahren als Material für rote, orange und grüne Leuchtdioden verwendet. Schwefel oder Tellur werden zur Dotierung benutzt um Galliumphosphid in einen n-Typ Halbleiter, Zink um es in eine p-Typ Halbleiter zu verwandeln. Reine GaP LEDs emmitieren grünes Licht mit einer Wellenlänge von 555 nm. Stickstoff-dotiertes GaP emmittiert gelb-grün (565 nm), Zinkoxid dotiertes GaP leuchtet rot (700 nm).

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Gewinnung und Darstellung

GaP Einkristalle werden in einem modifizierten Czochralski-Prozeß (flüssigkeitsgekapselter Czochralski Prozeß) gewonnen, da sich GaP zunehmend ab 900 °C zersetzt, was durch einen Mantel aus geschmolzenem Boroxid und einem Überdruck von 10-100 Bar verhindert wird.

Eigenschaften

Physikalische Eigenschaften

Galliumphosphid hat eine Zinkblendestruktur, eine Bandlücke von 2,25 eV und eine Gitterkonstante von 0,545 nm. Seine Elektronenmobilität ist 110 cm²/V-s und seine Lochmobilität ist 75 cm²/V-s. Seine Brechzahl ist Wellenlängenabhängig. Sie beträgt 3,37 im sichtbaren Bereich, wohingegen sie bei 800 nm (IR) nur 3,2 beträgt.

Siehe auch

• Galliumarsenid
• Galliumnitrid
• Indiumphosphid

Quellen

1. ↑ ^{a b c d e} Sicherheitsdatenblatt (alfa-aesar)
2. ↑ http://www.sigmaaldrich.com/catalog/search/ProductDetail/ALDRICH/521574