Heteroübergang

Weiteres empfehlenswertes Fachwissen

Erkennen Sie die Auswirkungen elektrostatischer Aufladungen auf Ihre Waage

Was ist die Empfindlichkeit meiner Waage?

Wie kann man Pipetten schnell überprüfen?

Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke.

Heteroübergänge finden sich bei III-V-Halbleitern oder bei II-VI-Halbleitern.

Berechnung

Bei einem p-n-Heteroübergang stellt sich eine Unregelmäßigkeit in den Energiebändern der Materialien ein. Die Länge X dieser Unregelmäßigkeit, eine Verbiegung der Bandkanten, lässt sich über die Poissongleichung berechnen. Nimmt man den Übergang vom negativ dotierten Material 1 zum positiv dotierten Material 2 mit den relativen Dielektrizitätskonstanten und Dotierungskonzentrationen N_D bzw. N_A an. So stellt sich mit der Diffusionsspannung ψ_D bei angelegtem äußerem elektrischen Feld der Spannung U eine Bandverbiegung der folgenden Weite ein:

,

Anwendung

• High Electron Mobility Transistor (HEMT)
• Heterojunction Bipolartransistor (HBT)

Siehe auch

• Halbleiter
• Galliumarsenid
• Galliumnitrid