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Indium-PhosphidIndium-Phosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter aus dem Metall Indium (In, III. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente) und dem Nichtmetall Phosphor (P, V. HG im PSE) und zählt zu den direkten Halbleitern.
Weiteres empfehlenswertes Fachwissen
BandlückeDie Bandlücke oder der Bandabstand (engl. gap) ist die Differenz zwischen Unterkante Leitungsband und Oberkante Valenzband und beträgt für InP bei Raumtemperatur eV. Bei einer theoretischen Extrapolation der Bandlücke auf T = 0K (absoluter Nullpunkt) vergrößert sich diese auf eV. Diese Temperaturänderung ist auf das periodische Potential der Elektronen zurückzuführen, welches sich aufgrund der Wärmeausdehnung im Kristall ändert. Außerdem ändert sich auch die Bandstruktur. Die Temperatur beeinflusst noch mehr Eigenschaften, z. B. auf die Gitterschwingungen und die Phononenverteilung. Die Abhängigkeiten von der Temperatur sind bei niedrigen Temperaturen quadratisch und bei Raumtemperatur linear.
BindungsenergieDie theoretische Bindungsenergie zwischen den Exzitons und den Donatoren von InP beträgt ca. 6,8 meV und liegt damit in der Größenordnung von GaAs (6,2 meV) sowie zwischen GaSb (2,7 meV) und CdTe (15 meV). AnwendungMikrowellen- und Radartechnik. Radioastronomie. Schlagwörter
Literaturhinweise
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Dieser Artikel basiert auf dem Artikel Indium-Phosphid aus der freien Enzyklopädie Wikipedia und steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation. In der Wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar. |