Indium-Phosphid

Indium-Phosphid (InP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter aus dem Metall Indium (In, III. Hauptgruppe des Periodensystems der Elemente) und dem Nichtmetall Phosphor (P, V. HG im PSE) und zählt zu den direkten Halbleitern.

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Bandlücke

Die Bandlücke oder der Bandabstand (engl. gap) ist die Differenz zwischen Unterkante Leitungsband und Oberkante Valenzband und beträgt für InP bei Raumtemperatur  eV. Bei einer theoretischen Extrapolation der Bandlücke auf T = 0K (absoluter Nullpunkt) vergrößert sich diese auf  eV. Diese Temperaturänderung ist auf das periodische Potential der Elektronen zurückzuführen, welches sich aufgrund der Wärmeausdehnung im Kristall ändert. Außerdem ändert sich auch die Bandstruktur. Die Temperatur beeinflusst noch mehr Eigenschaften, z. B. auf die Gitterschwingungen und die Phononenverteilung. Die Abhängigkeiten von der Temperatur sind bei niedrigen Temperaturen quadratisch und bei Raumtemperatur linear.

Bindungsenergie

Die theoretische Bindungsenergie zwischen den Exzitons und den Donatoren von InP beträgt ca. 6,8 meV und liegt damit in der Größenordnung von GaAs (6,2 meV) sowie zwischen GaSb (2,7 meV) und CdTe (15 meV).

Anwendung

Mikrowellen- und Radartechnik. Radioastronomie.

Schlagwörter

• Festkörperphysik
• Halbleiterphysik

Literaturhinweise

• N. W. Ashcroft, N. D. Mermin: Solid State Physics. Saunders College Publishing, 1976
• C. A. Hogarth (Hrsg.): Materials Used in Semiconductor Devices. Interscience, New York, 1965
• O. Madelung: Physics of III-V Compounds. Wiley, New York, 1964
• R. A. Smith: Semiconductors. Cambridge University Press, 1964
• G. Mahler, U. Schröder: Phys. Rev. Lett. 27, 1358, 1971