Indiumantimonid

Strukturformel
Keine Strukturformel vorhanden
Allgemeines
Name	Indiumantimonid
Summenformel	InSb
CAS-Nummer	1312-41-0
Kurzbeschreibung	silbergrauer Feststoff
Eigenschaften
Molare Masse	236,6 g·mol–1
Aggregatzustand	fest
Dichte	5,75 g·cm–3[1]
Schmelzpunkt	500 °C (Zersetzung)[1]
Löslichkeit	unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
Gefahrstoffkennzeichnung aus RL 67/548/EWG, Anh. I Xn Gesundheits- schädlich N Umwelt- gefährlich [2] R- und S-Sätze R: 20/22-51/53[2] S: (2-)61[2]
MAK	0,5 mg·m–3 (Sb). 0,1 mg·m–3 (In) [1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb). Es zählt daher zu den III-V-Halbleitern

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Eigenschaften

Indiumantimonid besitzt die größte Elektronenbeweglichkeit aller bekannten Halbleiter und eignet sich daher besonders gut zur Herstellung von Transistoren.

Verwendung

Die Firmen Intel und QinetiQ entwickeln momentan zusammen einen Transistor aus Indiumantimonid. Dieser soll etwa 50 % schneller schalten und gleichzeitig lediglich ein Zehntel der Energie momentaner Transistoren verbrauchen. Die Forschungen sollen allerdings erst gegen 2010 abgeschlossen sein.

Außerdem wird Indiumantimonid noch als Werkstoff für Infrarotsensoren benutzt, vor allem im Spektrum von 1000 nm bis 5500 nm.

Quellen

1. ↑ ^{a b c d} Sicherheitsdatenblatt (alfa-aesar)
2. ↑ ^{a b c} Nicht explizit in RL 67/548/EWG, Anh. I gelistet, fällt aber dort mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Sammelbegriff „Antimonverbindungen, mit Ausnahme von Diantimontetraoxid (Sb₂O₄), Diantimonpentoxid (Sb₂O₅), Diantimontrisulfid (Sb₂S₃), Diantimonpentasulfid (Sb₂S₅) sowie der Antimonverbindungen, die in diesem Anhang gesondert aufgeführt sind“