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Rapid Thermal AnnealingRapid Thermal Annealing (RTA) ist eine Verfahrensweise aus der Herstellung von Halbleitern, um einzelne Wafer durch Erhitzung in ihren elektrischen Eigenschaften zu verändern. Weiteres empfehlenswertes FachwissenRTA wird insbesondere verwendet, um die Kristallstruktur des Substrates nach der Ionenimplantation auszuheilen und somit elektrisch zu aktivieren. Siehe auch: Rapid Thermal Processing Kategorien: Halbleitertechnologie | Kristallographie |
Dieser Artikel basiert auf dem Artikel Rapid_Thermal_Annealing aus der freien Enzyklopädie Wikipedia und steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation. In der Wikipedia ist eine Liste der Autoren verfügbar. |