Raumladungszone

  Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss oder ein Mangel an Ladungsträgern vorherrscht, so dass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen). Die RLZ entsteht durch Diffusion der negativen/positiven Ladungsträger in das P-Gebiet(P-dotiert)/N-Gebiet(N-dotiert). Zwischen den Raumladungen entsteht im Inneren des Kristalls ein elektrisches Feld, das so gerichtet ist, dass es der weiteren Diffusion von beweglichen Ladungsträgern entgegen wirkt. Die Breite der RLZ ist temperaturabhängig. Sie lässt sich gezielt über eine von außen angelegte Spannung verändern. Legt man eine vom P-Gebiet zum N-Gebiet gerichtete Spannung an, so wird die RLZ breiter, kehrt man die Spannung um, so wird die RLZ schmaler.

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Siehe auch

• Early-Effekt