Forscher berichten über große Fortschritte bei Halbleitermaterialien
Hohe Ladungsträgerbeweglichkeit in kubischem Borarsenid verspricht Elektronik der nächsten Generation
Forscher haben zum ersten Mal experimentell festgestellt, dass ein kubischer Borarsenidkristall eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit sowohl für Elektronen als auch für Löcher aufweist - die beiden Wege, auf denen eine Ladung in einem Halbleitermaterial transportiert wird - was einen wichtigen Fortschritt für die Elektronik der nächsten Generation bedeutet.
Einkristalle aus Borarsenid
University of Houston
Während frühere Vorhersagen davon ausgingen, dass der Kristall gleichzeitig eine hohe Elektronen- und Löchermobilität aufweisen könnte, konnten die Forscher die hohe Ladungsträgermobilität bei Raumtemperatur experimentell bestätigen und damit die potenzielle Nutzung in kommerziellen Anwendungen erweitern. An der Arbeit waren Forscher aus den gesamten Vereinigten Staaten beteiligt, darunter die University of Houston, das Massachusetts Institute of Technology, die University of Texas at Austin und das Boston College.
In einem begleitenden Papier wird die Verwendung der Transienten-Reflexionsmikroskopie zur Messung des Kristalls beschrieben, wobei die hohe Mobilität nachgewiesen und in einigen Fällen, wenn ein Laserstrahl mit höherer Energie verwendet wurde, frühere Vorhersagen übertroffen wurden. Diese Arbeit wurde von Forschern der UH und des Nationalen Zentrums für Nanowissenschaften und -technologie in Peking zusammen mit mehreren anderen Einrichtungen in China durchgeführt.
Zhifeng Ren, Direktor des Texas Center for Superconductivity an der UH und korrespondierender Autor beider Arbeiten, sagte, die Arbeit habe wichtige Auswirkungen auf eine Reihe elektronischer und optischer Anwendungen, ähnlich wie die Fortschritte, die auf die Einführung von Siliziumscheiben folgten, die in allen Arten von Elektronik weit verbreitet sind.
Einige Halbleiteranwendungen erfordern ein Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit - die angibt, wie effektiv ein Material Wärme leitet - und hoher Elektronen- und Lochbeweglichkeit. Frühere Forschungsarbeiten hatten gezeigt, dass kubisches Borarsenid eine hohe Wärmeleitfähigkeit besitzt, so dass die hohe ambipolare Mobilität ein entscheidender Fortschritt ist.
"Das Potenzial dieses Materials ist enorm", sagte Ren, der auch M.D. Anderson Professor für Physik an der UH ist. Während die Arbeiten zur Herstellung größerer Kristalle mit einheitlichen Eigenschaften noch andauern, könnte das Ergebnis einen noch größeren Einfluss auf die Branche haben als der Silizium-Wafer, sagte er.
Das liegt daran, dass bei Halbleitern der Strom sowohl durch Elektronen als auch durch Löcher geleitet werden muss, aber die meisten bekannten Materialien bieten nur für eine Art von Ladungsträger eine hohe Mobilität. Die Gesamteffizienz des Halbleiters wird durch den niedrigeren Wert bestimmt.
"Wenn beide Werte hoch sind, ist das Bauelement effizienter", so Ren. "Das ist es, was dieses Material so einzigartig macht.
Ren gehörte zu einer Gruppe von Forschern, die 2018 in Science berichteten, dass der Kristall, der aus Bor und Arsen, zwei relativ häufigen Mineralelementen, gezüchtet wurde, eine weitaus höhere Wärmeleitfähigkeit aufweist als herkömmliche Halbleiter. Diese Arbeit baut darauf auf und verwendet Kristalle, die in Rens Labor gezüchtet wurden, um zu zeigen, dass theoretische Vorhersagen über die hohe Mobilität der Substanz experimentell nachgewiesen werden können.
Die Mobilität der Ladungsträger wird in der Einheit cm2V-1s-1 gemessen; die Forscher haben eine Mobilität von 1.600 cm2V-1s-1 ermittelt. Dieser Teil der Arbeit wurde von Gang Chen, Carl Richard Soderberg Professor für Energietechnik am MIT und Mitverfasser der Arbeit, geleitet, der ein optisches Transientengitterverfahren zur Messung sowohl der elektrischen Mobilität als auch der Wärmeleitfähigkeit verwendete.
In der zweiten Arbeit berichteten Forscher um Ren und Jiming Bao von der UH und Xinfeng Liu vom National Center for Nanoscience and Technology in Peking über einen Bereich von etwa 1.500 cm2V-1s-1 bis hin zu 3.000 cm2V-1s-1.
Die Messung der Ladungsträgermobilität wurde dadurch erschwert, dass der Kristall nicht groß und einheitlich war, so dass herkömmliche Messmethoden wie der Hall-Effekt seine Eigenschaften nicht genau bestimmen konnten. Die Forscher stellten fest, dass ionisierte Verunreinigungen die Leistung des Materials durch starke Streuung der Ladungsträger schwächten, während andere Verunreinigungen - in der Arbeit als "neutrale Verunreinigungen" bezeichnet - weniger Einfluss hatten.
"Die Probe war nicht einheitlich, aber man kann das Potenzial lokal sehen", sagte Ren. "Wenn man einen Kristall ohne Defekte hätte, könnte die Mobilität möglicherweise viel höher sein als vorhergesagt. Wir forschen weiter, um das herauszufinden."
Die Messungen wurden mit unterschiedlichen Methoden in Labors der UH und des MIT durchgeführt.
In der zweiten Arbeit beschreiben Forscher der UH und sechs chinesischer Universitäten und Institutionen die Verwendung der transienten Reflektivitätsmikroskopie zur Messung der Elektronen- und Lochmobilität.
Bao, Professor für Elektrotechnik an der UH und leitender Forscher am Texas Center for Superconductivity, sagte, dass die Forscher Laserpulse verwendeten, um Ladungsträger in der Probe anzuregen, um ihre Diffusion zu überwachen, und dabei einen entscheidenden Unterschied zwischen dem kubischen Borarsenidkristall und den meisten halbleitenden Materialien entdeckten. In Silizium beispielsweise bewegen sich Elektronen etwa viermal so schnell wie Löcher.
"In diesem Fall bewegen sich die Löcher schneller als die Elektronen", sagte er. Aber sowohl Elektronen als auch Löcher weisen eine ungewöhnlich hohe Mobilität auf, was die Gesamtleistung des Materials verbessert.
Bao führte die höchsten Messwerte, bei denen eine Mobilität von weit über 1.600 cm2V-1s-1 festgestellt wurde, auf "heiße Elektronen" zurück, die die durch den Laserpuls erzeugte Wärme bzw. Energie länger aufrechterhalten als in den meisten anderen Materialien. Das Gleiche gelte für die Löcher in dem Material, so Bao.
Die Struktur des kubischen Borarsenidkristalls erschwert den Ladungsträgern die Abkühlung, so dass sie die Wärme - und die daraus resultierende hohe Mobilität - länger beibehalten. Die Forscher berichteten über eine Mobilität, die den vorhergesagten Werten und denen, die in Chens Labor gefunden wurden, ähnlich war, stellten aber fest, dass zusätzliche Experimente eine Mobilität von mehr als 3.000 cm2V-1s-1 ergaben, die sie den heißen Elektronen zuschrieben.
Die Ergebnisse hingen zum Teil davon ab, dass ein Abschnitt des Kristalls mit wenigen oder keinen Verunreinigungen gemessen wurde, so Bao. "Die Probe war nicht einheitlich, und wir fanden die höchste Mobilität an Stellen mit den wenigsten Verunreinigungen".
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